近几十年来，GaN和InGaN材料体系在蓝光和白光led方面的应用取得了显著的进步。由于对高亮度蓝色发光二极管的卓越贡献，日本科学家赤崎勇、天野浩和美籍日裔科学家中村修二在2014年获得了诺贝尔物理学奖。2002年，日本立命馆大学Yasushi Nanishi教授首次报道了高质量InN材料的正确带隙（0.7ev）及相关物理性质，这一发现使InN材料发光波长延伸到通讯波段，从而开辟了III族氮化物新的重要应用领域。由于Nanishi教授在GaN基功率及高频器件研究方面做出的重要贡献，他曾获得日本应用物理学会复合半导体电子奖、Isplasma特别表彰奖等。 

　　在科技部“高端外国专家引进计划”资助下，受中科院纳米器件与应用重点实验室特别邀请，8月9日， Nanishi教授为苏州纳米所师生带来了题为“利用射频等离子体辅助分子束外延技术生长InN和高In组分InGaN的现状与挑战”的精彩的开讲报告，报告会由所长杨辉主持，孙钱研究员等参加了报告会。在报告中Nanishi教授提出了一种称为DERI的新的生长方法，以解决阻碍InN和高In组分InGaN材料体系应用中的关键问题。在此基础上，他利用原位观测方法呈现出这一过程中在原子尺度上详细的生长机制。他还讨论了离子诱导点缺陷及其控制方法。最后他介绍了位错钝化，在n面GaN衬底上的DERI生长，以及在石墨烯衬底上范德华外延生长InN的实验等。 

　　8月13日至9月12日期间，Nanishi教授为纳米所的相关专业博士研究生开设了物理（固体）电子学前沿技术课程，课程名为“化合物半导体的基础物理性质”，授课学生约60人/次，共计授课10次。Nanishi教授的课程与实际研究结合紧密，吸引在场学生积极提问，并引导他们独立思考，参与深入讨论，从而加强了课程的学习效果。 

　　在9月10日中国教师节当天，职工代表为Nanishi教授和在纳米所已工作6年的池田昌夫研究员献上了鲜花和祝福卡片，以表达对两位外籍教师的敬意和感谢。Nanishi教授和池田昌夫研究员的科学态度和敬业精神一直激励着纳米所职工学生更加专注、严谨的对待科研工作，并且他们长期为推动中日友好科研交流做出了积极贡献。