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德国阿洛斯半导体公司首席技术官Dr. Atsushi Nishikawa来苏州纳米所访问交流
2019-04-01| 文章来源:器件部 唐永军| 【

  328日,应中科院纳米器件与应用重点实验室孙钱研究员邀请,德国阿洛斯半导体公司首席技术官Dr. Atsushi Nishikawa来苏州纳米所访问交流,并作题为“High crystal quality GaN-on-Si to achieve excellent isolation and dynamic performance without carbon doping”的学术报告,相关领域老师与学生参加了此次学术报告会。 

  硅衬底GaNHEMT是一种非常重要的功率电子器件。但是,GaNSi之间存在很大的晶格失配和热失配,因此,在硅衬底上生长高质量GaN是一项极具挑战的工作。低质量的GaN存在高密度的缺陷,这些缺陷可能成为漏电通道,难以实现高阻态GaN的制备。为了解决这个问题,一般在GaN外延生长过程中,在外延结构的某些部位引入碳掺杂。但是引入碳掺杂之后不可避免的会带来一些负面的影响,例如:动态电阻增加和GaN晶体质量的进一步退化。阿洛斯公司利用硅上GaN的侧向外延技术和插层技术,制备了没有碳掺的高阻态GaN和实现了精确的应力控制,基于此技术,在硅衬底上成功实现了7 μm厚的高质量GaN的外延生长。利用硅上外延生长的高质量GaN制备了HEMT,在600V时的垂直和横向漏电低至0.003 μA/mm20.007 μA/mm;在1200V的电压下,没有发生物理性的损坏,临界电场高达1.7 MV/cm,远高于报道的1MV/cm,具有很好的开关性能(600V的反向偏压下,动态电阻比值低于1.25)。对硅上的GaN功率器件的应用具有重要意义。 

  Dr. Atsushi Nishikawa是德国阿洛斯半导体公司的首席技术官,致力于III族氮化物的MOCVD生长方面已经超过十五年,具有丰富的经验。创立阿洛斯公司之前,他曾担任硅上外延GaN的先驱AZZURRO半导体公司外延研发主管和在NTT Basaic Research Labs和大阪大学从事与GaN相关的研究工作。加入阿洛斯公司之后,他继续发展硅上外延GaN的技术并向客户提供相关技术。

 

交流会现场

 
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