网站地图联系我们English中国科学院
 
  新闻动态
公告通知
·关于2019年元旦放假安排的通知[12.07]
·关于2018年中秋国庆节放假安排的通知[09.10]
·关于2018年端午节放假安排的通知[05.29]
·【中科院公众科学日】5月19-20日苏州纳米所:纳米黑科技,来玩么?[05.14]
·关于2018年劳动节放假安排的通知[04.08]
  您现在的位置:首页 > 新闻动态 > 新闻动态
美国耶鲁大学宋杰博士来苏州纳米所交流并作学术报告
2019-02-27| 文章来源:器件部 梁方舟| 【

  222日,应中科院纳米器件与应用重点实验室邀请,美国耶鲁大学电子工程系宋杰博士来纳米所交流,并作了题为“蓝宝石上非极性GaN异质外延生长的研究进展”的学术报告。报告由孙钱研究员主持,纳米所所长杨辉及相关领域的老师和同学们参加了本次学术交流报告会。 

  本次报告总结了蓝宝石衬底上非极性和半极性GaN异质外延生长的研究历史和进展。蓝宝石上非极性和半极性GaN异质外延生长的研究工作已经经历了几个主要阶段,包括从最初的平面蓝宝石衬底上直接生长GaN到侧向外延选区生长,进而演化到图形衬底上的GaN生长。在所有的异质外延生长过程中,非极性和半极性GaN中高密度的层错一直是阻碍GaN基光电子器件研究发展和应用的关键因素。本次报告将主要介绍该团队近期在蓝宝石图形化衬底上半极性(20-21)GaN异质外延生长的研究进展。通过选择不同晶向的蓝宝石衬底,结合图形化衬底的制作工艺,他们研发了一套可以异质外延生长任意晶向的GaN薄膜材料的工艺。通过对GaN中层错的产生机制的深刻理解,开展了层错的减少和抑制研究工作。通过对晶体表面能生长动力学的调控,团队最终成功地消除了在蓝宝石衬底上生长的半极性GaN中的层错,实现了大尺寸无层错的半极性GaN的材料制备,并在无层错的半极性GaN template上制备了异质衬底上生长的高EQE的绿光LED。这种大尺寸、高质量的半极性GaN材料将极大地促进下一代低成本、高功率长波长GaNLEDsLDs的研究和产业化发展。 

  宋杰博士本科毕业于兰州大学,随后保送到北京大学跟从沈波教授攻读博士学位。2011年博士毕业后,他加入美国耶鲁大学电子工程系(Prof. Jung Han’s group)先后从事博士后和助理研究员的工作,并于2016年担任美国Saphlux公司首席科学家一职。宋杰博士主要从事GaN基薄膜材料和器件的外延生长制备和研究工作,采用新颖的制备方法获得高质量的GaN材料,从而提高GaN基器件的性能。宋杰博士在世界上首次成功消除了蓝宝石衬底上异质外延生长半极性GaN材料里的层错缺陷,解决了GaN研究领域长达十几年的难题之一。相关工作也被Compound Semiconductor报道。迄今为止在Advanced Materials, Advanced Functional Materials, Nano Letters, Applied Physics Letters, Nanotechnology 等杂志上发表peer-reviewed论文40余篇。 

报告会现场

 
版权所有:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 备案序号:苏ICP备10220403号
地址:江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号 邮编:215123 Email: administrator@sinano.ac.cn