为推动“战略性先进电子材料”重点专项“第三代半导体的衬底制备及同质外延”项目高效有序开展，保障项目顺利实施， 10月26日此专项项目启动会在苏州工业园区顺利召开。会议由科技部高技术研究发展中心指导，项目牵头单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所主持，22家项目参与单位协办召开。 

　　科技部高技术研究发展中心相关领导、国家自然科学基金委张守著处长、潘庆处长、中科院科技促进发展局付广义处长、苏州工业园区科技局张淑梅处长、项目咨询专家组以及来自23家项目课题负责人、项目骨干、财务管理人员等60余人参加了此次会议。 

　　项目牵头单位中科院苏州纳米所所长杨辉研究员致欢迎词。中科院科技促进发展局付广义处长在致辞中对项目的立项及会议召开表示祝贺。苏州工业园区科技局张淑梅处长对项目的启动表示祝贺，并代表苏州工业园区欢迎各位专家的到来。 

　　在本次启动会上，成立了由18名专家组成的项目专家咨询组，分别为：苏州长光华芯光电技术有限公司廖新胜总经理、中科院苏州纳米所徐科研究员、西安电子科技大学郝跃院士、中科院微电子所刘明院士、西北核技术研究所欧阳晓平院士、厦门大学张荣教授、北京大学沈波教授、南昌大学江风益教授、北京大学张国义教授、中科院苏州纳米所杨辉研究员、中科院上海技术物理研究所陆卫研究员、国家半导体照明工程研发及产业联盟吴玲秘书长、中科院半导体所陈弘达研究员、大唐电信科技产业集团周彬教授、厦门大学康俊勇教授、南京大学陆海教授、北京大学王新强教授、中科院长春光机所黎大兵研究员。会议现场向专家们颁发了聘书。 

　　项目负责人王建峰研究员对科技部高技术中心、国家自然科学基金委、中科院科技促进发展局的各位领导、领域内专家及参与单位代表的到来表示感谢，随后详细介绍了项目的立项情况、总体目标并汇报了实施方案，包括各项任务的具体工作安排，时间节点安排，各课题技术路线设置及各课题之间、各单位之间的任务对接形式及时间等。 

　　本项目针对GaN、AlN衬底制备及同质外延技术路线发展所面临的迫切需求及关键挑战，研究HVPE、氨热法、助熔剂法、PVT生长热力学条件对生长行为的影响机理及调控规律；GaN及AlN衬底生长过程中缺陷形成与演化机理，降低缺陷密度的生长动力学调控技术，电学性质调控；热失配、晶格失配条件下晶体生长应力调控技术、大尺寸衬底分离技术；同质外延表面成核、台阶生长，位错延伸规律，同质外延器件中载流子输运、复合规律及结构设计技术等，突破大尺寸、低位错密度GaN、AlN单晶衬底的生长制备难题，实现4英寸GaN单晶衬底和新型模版衬底的量产，完成几类重大应用器件的同质外延技术开发和应用验证。 

　　随后咨询专家组与项目组进行了积极、热烈而深入的讨论，围绕实施方案的难点及产业化关键问题进行了意见交流与建议指导，专家们表示对项目的实施完成充满信心、对这只充满朝气的年轻队伍充满信心，希望大家可以为我国氮化物材料及器件的科学研究和产业发展做出更大的贡献，赶超国际先进技术，助力全球氮化物产业发展。 

　　科技部高技术研究发展中心相关领导在启动会的总结发言中介绍了2017年度国家重点研发计划的项目部署情况、新时期重点专项的管理特点和要求以及对项目负责人和参研单位的具体要求，并对项目实施过程中可能出现的问题及原因进行了分析论述，强调了课题成员关系和经费实施细则对项目实施的重要性，要求各课题认真履行责任，发扬科学家精神，提高科研能力、规范项目管理，切实把握课题任务的财务、质量和宣传三大工作，对项目中取得的重大进展及成果及时向社会公布，积极与国内外专家进行交流合作。 

　　最后，项目负责人王建峰研究员代表全体项目单位及执行人员对项目的实施完成表达了决心和信心，项目组一定按照相关管理规范及要求，保质保量的完成任务。 

 　　杨辉研究员为沈波教授颁发聘书 

 　　项目负责人王建峰研究员汇报项目实施方案 

 　　咨询组专家黎大兵研究员就项目实施方案发表意见 

 　　科技部高技术中心相关领导总结发言 

 　　专家组与项目组合影