10月27日，应器件部主任秦华研究员邀请，美国加州大学圣塔芭芭拉分校Chris Palmstrom教授访问苏州纳米所。在所期间，Chris Palmstrom教授做了题为“Molecular Beam Epitaxial Growth of Spintronic Materials”的学术报告。报告阐述了铁磁/半导体界面自旋输运的关键问题，指出它们的结构和电子特性是决定性影响因素，着重探讨了外延磁性金属/ III-V族半导体异质界面及其对磁性和自旋输运特性影响。同时，报告指出，界面反应、非磁性中间层的形成，以及导电性失配也归因于低自旋注入效率。Chris Palmstrom教授还给大家介绍了实验室MBE设备以及实验流程表征手段等。

　　Chris Palmstrom教授，世界领先的电子材料研究人员之一，出生于挪威， 07年的秋季加入美国加州大学圣塔芭芭拉分校ECE学院。Chris Palmstrom教授于1979年获得利兹大学（英格兰）电气与电子工程博士学位。经过五年的康奈尔大学半导体材料及接触技术的研究，于1985年加入了著名的Bellcore实验室。在那里，他对于半导体表面、半导体掺杂、高分子/聚合物扩散和金属/半导体异质结构的分子束外延生长展开了开创性的研究。1994年Palmstrom教授来到明尼苏达大学，在那里他很快成为一个领先的研究者，其研究领域包括联合信息电子和磁性处理和存储的功能，新的自旋电子材料等。Palmstrom教授很符合加州大学圣巴巴拉分校的研究项目，在那里他与格萨德、布朗、罗德威尔、施特默和范德瓦尔进行显著有效的合作。

Chris Palmstrom教授作报告中

报告会现场