9月12日上午，应中科院纳米器件与应用重点实验室邀请，正在我所进行学术交流PDI（Paul-Drude-Institut）研究所Uwe Jahn博士为我所师生作了题为Luminescence of GaAs nanowires containing wurtzite and zinc-blende segments的精彩学术报告。报告会由重点实验室副主任边历峰研究员主持。

Uwe Jahn博士长期从事GaN、GaAs材料光学性能研究。此次报告，他与大家分享了在具有纤锌矿和闪锌矿结构的GaAs纳米线的激发光光谱分析（主要集中于CL、PL）方面的研究经验和成果。其最新相关研究成果已发表在国际著名刊物PHYSICAL REVIEW B 85,045323(2012)上。报告中，Uwe Jahn博士还就两种结构GaAs 纳米线的费米能级和纳米线对于弛豫应力、降低位错的作用等问题与科研人员展开了广泛交流和深入讨论。

作为苏州纳米所的客座研究员，Uwe Jahn博士目前以德方项目负责人主持国家基金委中德合作项目和中科院外籍专家特聘研究员计划各一项，为我所的国际交流合作做出了积极贡献。

Uwe Jahn博士作报告

报告会现场