11月17日下午，麻省理工学院材料科学工程系和微光子学研究中心资深科学家Jurgen Michel博士应邀来纳米所进行学术交流活动，并在A718室做了一场题为“Ge Optoelectronic Devices for Silicon Photonics”的学术报告。报告会由器件部副主任秦华研究员主持。

报告系统介绍了应用于Si芯片系统的Ge光电子有源器件的最新研究成果，包括波导耦合Ge探测器、极低功率Ge调制器和第一个Ge激光器，特别详细介绍了基于磷掺杂应变Ge实现的Ge激光器理论模拟和实验过程，这是世界上第一个室温激射的Ge激光器，打破了间接禁带半导体不能激射的论断。报告会后，Jurgen Michel博士对在场师生提出的问题进行了详细的解答。

Jurgen Michel博士，麻省理工学院材料科学工程系和微光子学研究中心资深科学家，相继在德国Cologne大学和Paderborn大学获得物理学学士学位和应用物理学博士学位，之后，加入AT&T 贝尔实验室任博士后，主要研究半导体材料中缺陷反应和缺陷特性。1991年， Jurgen Michel博士加入麻省理工学院。从事Si基光子材料和器件以及先进太阳电池设计，目前， Jurgen Michel博士的主要兴趣是Si基片上WDM系统用器件、高效Ge探测器、调制器和激光器，旨在将Ge有源光电子器件嵌入Si CMOS芯片，实现片上光互联和光通信。迄今为止，Jurgen Michel博士发表200多篇专业科学论文，4篇专著， 18个授权专利和20多个发明专利。

Jurgen Michel博士作报告

报告会现场