10月26日上午,瑞典查尔姆斯理工大学(CTH) Wang Shumin教授和Tommy Ive 博士应邀访问苏州纳米所并作题为《GaAs based telecom lasers by Professor Shumin Wang》和《Growth of nitride intersubband structures by Assistant Professor Tommy Ive》的两个学术报告。研究所所长杨辉出席报告会。报告会由纳米器件及相关材料研究部董建荣研究员主持,相关科研人员和学生聆听了报告。
报告引起大家的广泛兴趣,大家就lnGaAsN 激光器材料的生长方法,及lnGaAsN 激光器器件制作问题与Wang Shumin教授进行了深入的探讨和交流。
Wang Shumin教授是MBE技术方面的资深专家,是2006年国际MBE会议的程序委员会成员,曾为国际上一些研究机构评估项目和提供咨询,担任Applied Physics Letters, Journal of Crystal Growth, Physical Review B,Journal of Vacuum Science and Technology, Thin Solid Films 及d Physica Scripta的审稿人,是IEEE高级会员,SPIE会员,在光通信激光器和大失配半导体材料生长及器件研究方面取得显著成果。