GaNLD项目招聘启事
序号 |
岗位需求 |
需求人数 |
要求 |
1 |
外延专家 |
1 |
1. 博士学位、高级职称 2. 承担过国家级项目 3. 多年Ⅲ族氮化物外延生长经验,了解MOCVD设备结构与原理,具备丰富的研究经历 |
2 |
光电子器件测试工程师 |
1 |
1. 本科学历; 2. 2年以上相近专业工作经历; 3. 年龄30岁以内。 |
3 |
数据分析与处理工程师 |
1 |
1. 硕士研究生学历; 2. 1年以上工作经历; 3. LABVIEW程序编写; 4. 年龄30岁以内。 |
4 |
GaNLD工艺工程师 |
1 |
1. 三年以上LED或其他光电子工艺经验 2. 有LED工艺线串线经验者优先 |
5 |
GaNLD工艺工程师 |
1 |
1. 两年以上光学介质膜设计和制备经验 2. 有半导体激光器腔面镀膜经验者优先 |
岗位待遇:
工资福利待遇按中科院苏州纳米所和国家规定执行,提供月工资+绩效奖励。
应聘方式:
(一)报名截止时间为 2020 年 12 月 31 日。
(二)请应聘者将简历及相关证明材料( 文章、成果情况等 )通过邮件,以“应聘岗位+姓名”为主题发送至以下邮箱:dyli2012@sinano.ac.cn。
(三)我们将以邮件或电话的方式通知通过初选的应聘者,前来参加本单位组织的面试。
(四)联系人:李老师,联系电话: 0512-62872615。
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