2018年9月5日，应中科院纳米器件与应用重点实验室孙钱研究员邀请，美国伊利诺伊大学香槟分校Minjoo Larry Lee教授来我所进行学术访问交流。当天下午，Minjoo Larry Lee教授为大家做了题目为“Strain engineering of III-V and group-IV semiconductors”的学术报告。报告的主要内容是关于其在III-V光电子器件领域的工作，包括从使用MBE进行材料外延，到后期的器件制备。报告的重点在于通过晶格匹配的材料体系的应用，从而极大的提高了相关器件的性能和拓展了器件的应用。报告涉及的主要工作包括：1. 基于Si基的低成本高效III-V族太阳能电池的制备，通过降低GaAsP中的穿透位错密度，使得电池效率达到新的高度；2. 基于InP的中红外激光器中组分渐变缓冲层的相关工作；3. 在III-V材料体系中Ge纳米线的的制备与材料特性分析。 

　　Minjoo Larry Lee教授于1998年毕业于布朗大学（Brown university）材料科学系，2003年在麻省理工学院（MIT）获得博士学位。在随后的2003-2006年期间，他在MIT的微系统技术实验室（the Microsystems Technology Laboratory）从事博士后工作。2006-2007年期间，Minjoo Larry Lee教授进入RTI国际公司的热电研究中心工作。2008年，Minjoo Larry Lee教授加入了耶鲁大学并担任该校电子工程系的助理教授。2016年，Minjoo Larry Lee教授加入了伊利诺伊大学香槟分校，担任了该校电子与计算机工程系的助理教授。Minjoo Larry Lee教授的学术贡献瞩目，其是超过160篇的技术性论文、会议论文和专利的作者（或共同作者），他也获得了许多国际性的赞誉和奖项，包括：North American conference on MBE (NAMBE) Young Investigator Award; DARPA Young Faculty Award; NSF CAREER award; and the IEEE Electron Device Society George E. Smith award。同时，Minjoo Larry Lee教授在教学方面也成绩斐然，其指导的学生在各类会议上共计获得过8次最佳演讲奖，其在集成电路和电磁学教学领域的工作也为人称赞。 

学术报告现场