应中科院纳米器件与应用重点实验室邀请，德国PDI (Paul-Drude-Institut)研究所Bernd Jenichen 教授来纳米所访问交流。2018年8月31日上午，Bernd Jenichen 教授在A718会议室做题为《Fe₃Si/Ge/Fe₃Si thin film multilayers on GaAs(001)》的特邀学术报告，报告由苏州纳米所边历峰研究员主持。Bernd Jenichen 教授就Fe₃Si/Ge/Fe₃Si薄膜的生长和表征做了精彩发言，生动形象的分析了其中的物理机理。Bernd Jenichen 教授领导的团队应用分子束外延在铁磁Fe₃Si层之上获得完美的Ge膜，并且采用Ge的固相外延方法，实现了薄膜的高结晶度和优异的界面质量。他们发现当Fe₃Si膜用作Ge的外延生长衬底时，Fe₃Si结构对Ge膜的外延生长影响变得更强并且发生有序现象。这些有序现象是由外延生长引起的，到目前为止在散装材料中没有观察到。报告结束后，在场师生就报告内容进行提问，Bernd Jenichen 教授耐心的为大家答疑解惑，并且欢迎大家与他邮件沟通。