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SN201709019-原子层沉积设备
2018-04-27| 文章来源: | 【
品名

品名

原子层沉积设备

型号

SUNALETMR-200

制造商

芬兰PICOSUN

主要功能

材料生长

技术指标

配置6路独立源管线和1路等离子体源

反应器最高沉积温度500ºC

对于2英寸基片(ɸ 50 mm),沉积10nm厚度Al2O3薄膜,通过九点法测量,薄膜厚度的不均匀性:≤1

手套箱气氛保护(Ar)进样系统;粉末沉积腔;远程等离子体辅助原子层沉积

设备现状


收费标准


管理员

沈阳

联系方式

13914729068

设备照片


 
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