品名
原子层沉积设备
型号
SUNALETMR-200
制造商
芬兰PICOSUN
主要功能
材料生长
技术指标
配置6路独立源管线和1路等离子体源
反应器最高沉积温度500ºC
对于2英寸基片(ɸ 50 mm),沉积10nm厚度Al2O3薄膜,通过九点法测量,薄膜厚度的不均匀性:≤1%
手套箱气氛保护(Ar)进样系统;粉末沉积腔;远程等离子体辅助原子层沉积
设备现状
收费标准
管理员
沈阳
联系方式
13914729068
设备照片