设备名称：原子层沉积设备

所属部门：印刷电子学

管理员： 张东煜

联系电话：2730

主要用途：ALD可以进行多组份纳米薄层和混合氧化物沉积，例如对晶体管栅极电介质层（高k材料），光电元件的涂层，有机发光显示器的反湿涂层和薄膜电致发光(TFEL)元件，微机电系统（MEMS）的反静态阻力涂层和憎水涂层的种子层，纳米颗粒的涂层，纳米孔内部的涂层，纳米线的涂层进行加工。

主要指标：本设备含4路前驱体，基片尺寸最大10 厘米 (4英寸)， 加热温度范围从室温~600摄氏度，膜层厚度标准偏差≤1%。