资产名称:深氧化硅等离子体刻蚀机

规格型号:NLD-570

工艺类别: 刻蚀

所属单位: 加工平台

管理员: 刘彬

用途: NLD(neutral loop discharge,磁中性环路放电)较ICP而言,可对形成在真空腔内的磁场强度为0的环形磁中性线施加高频电场,并由此产生等离子体。通过改变电流大小可以控制等离子体的直径及密度,所以具有高刻蚀速率、高均匀性、高等离子体密度及低压放电等优点。可用于SiO2、石英、微透镜及SiC等材料的刻蚀。

主要技术指标: 设备配气:Ar、O2、O2(大、小量程之分)、CF4、C4F8、CHF3、C3F8、SF6。 Antenna RF:0-2000W。 Bias RF:0-1000W。 Shield:~+200℃。 chiller:-20~+40℃。 NLD COIL:60A