资产名称:快速退火炉

型号规格:RTP150

工艺类别: 退火

所属单位: 加工平台

管理员: 张学敏

用途:用于硅及化合物半导体材料离子注入后的缺陷消除/激活杂质,硅化物形成,欧姆/肖特基接触的制备以及快速氧化/氮化,消除薄膜应力,提高薄膜附着性等方面。该设备具有很好的长时间工作稳定性以及快速升降温,慢速升降温的功能,因此也可用于各种半导体材料PVD/CVD工艺的热处理。

主要技术指标:最高温度1000℃,最长保温时间1.5min,其他温度视情况而定。最大升温速度75℃/s;极限真空0.1pa;加工芯片尺寸:六寸、五寸、四寸、三寸均一片,两寸五片,含碎片; 三路工艺气体:氮气、氧气、氩气;(流量 0~5SLM);氮气吹扫降温;上下两层灯管可独立控制退火。