晶片键合机

编号：CB6L (SN200811035)

工艺类别：光刻

所属单位：加工平台

管理员：龚巍

状态：正常

价格：250/30分钟

单位预约时间：30(单位:分钟)

用途

最高温度420度，最大压力3000mBar。最高电压-2000V。气：氮气，真空。键合wafer尺寸φ2/4/6英寸。配合BA6实现对准键合，套刻键合精度±5μm

主要技术指标

样品大小：1、标准片（φ4/6英寸）2、其他。键合类型：1、阳极键合（pyrex玻璃和硅片）;2、共晶键合（PbSn，AuSn，CuSn，AuSi等等）焊料由客户提供; 2、胶键合（AZ4620，SU8，键合专用胶); 3、其他。对准要求：1、对准精度±5μm; 2、其他