SN201709019-原子层沉积设备
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品名 |
原子层沉积设备 |
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型号 |
SUNALETMR-200 |
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制造商 |
芬兰PICOSUN |
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主要功能 |
材料生长 |
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技术指标 |
配置6路独立源管线和1路等离子体源 反应器最高沉积温度500oC 对于2英寸基片（？ 50 mm），沉积10nm厚度Al2O3薄膜，通过九点法测量，薄膜厚度的不均匀性：≤1％ 手套箱气氛保护（Ar）进样系统；粉末沉积腔；远程等离子体辅助原子层沉积 |
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设备现状 |
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收费标准 |
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管理员 |
沈阳 |
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联系方式 |
13914729068 |
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设备照片 |
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