品名

金属化学气相沉积

型号

GB

制造商

AIXTRON

主要功能

用于GaAs与InP基的III-V化合物半导体薄膜的外延生长。

技术指标

3x3"行星式反应室，管路配置为AsH3、PH3、SiH4、HCl、TMGa、TBAs、Ferrocene与DEZn。

设备现状

调试

收费标准

面议

管理员

熊敏

联系方式

62872625

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