SN201002021 氧化扩散炉
氧化炉 |
编号: HDC8000A |
工艺类别: 镀膜 |
所属单位: 加工平台 |
管理员: 姬荣坤 |
状态: 正常 |
价格: 300/60分钟 |
单位预约时间: 60(单位:分钟) |
用途 |
氧化炉由氧化炉管和退火炉管两个炉管组成,上炉管是氧化炉管,主要用于干氧氧化和湿氧氧化(氢氧合成),配置氧气、氮气和氢气三路气体,下炉管是退火炉管,主要用于金属合金化,最高温度可达600度,配置氮气和氢气两路气体。热氧化法是在高温下(900℃-1200℃)使硅片表面形成二氧化硅膜的方法。热氧化的目的是在硅片上制作出一定质量要求的二氧化硅膜,对硅片或器件起保护、钝化、绝缘、缓冲介质等作用。 |
主要技术指标 |
温度控制显示精度全量程0.1°C; 三点控温是SPIKE测量点都使用双热电偶,在一只热电偶断路时另一只能继续完成工艺; 程序控制单元,气体/压力控制精度±0.5%; 样品尺寸及片数,一次最多可以装载50片6英寸、50片四英寸基片或50片两英寸基片; 5上炉管氧化合成最高温度1150度,可以进行干氧氧化和氢氧合成湿氧氧化,通氮气作为 保护气体。 下炉管退火温度最高可达600度,可以通氮气作为保护气体。 |
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